-
Parçeyên Yedek ên Seramîk ji bo Amûrên Sonda Nîvconductor
Parçeyên yedek ên seramîk, ku bi pêlkirina îzostatîk a sar û di bin germahiya bilind de têne sinterkirin, dû re bi makîneya rast û cilkirî têne çêkirin, dikarin bi taybetmendiyên berxwedana li hember aşînê, berxwedana korozyonê, berfirehbûna germî ya nizm û îzolekirinê her hewcedariyên hişk ên alavên nîvconductor bicîh bînin. Seramîk dikarin di gelek celeb alavên hilberîna nîvconductor de bi şert û mercên germahiya bilind, valahî an gaza korozîf ji bo demek dirêj bixebitin.
Ji toza alumina ya paqijiya bilind hatî çêkirin, bi pêlkirina îzostatîk a sar, sinterkirina germahiya bilind û qedandina rastîn ve hatî hilberandin, ew dikare bigihîje toleransa dimensiyonê ± 0.001 mm, qedandina rûyê Ra 0.1, berxwedana germahiyê 1600℃.
-
Hilgira Amûrên Nîvconductor ên Plaqeya Seramîk
Parçeyên yedek ên seramîk, ku bi pêlkirina îzostatîk a sar û di bin germahiya bilind de têne sinterkirin, dû re bi makîneya rast û cilkirî têne çêkirin, dikarin bi taybetmendiyên berxwedana li hember aşînê, berxwedana korozyonê, berfirehbûna germî ya nizm û îzolekirinê her hewcedariyên hişk ên alavên nîvconductor bicîh bînin. Seramîk dikarin di gelek celeb alavên hilberîna nîvconductor de bi şert û mercên germahiya bilind, valahî an gaza korozîf ji bo demek dirêj bixebitin.
Ji toza alumina ya paqijiya bilind hatî çêkirin, bi pêlkirina îzostatîk a sar, sinterkirina germahiya bilind û qedandina rastîn ve hatî hilberandin, ew dikare bigihîje toleransa dimensiyonê ± 0.001 mm, qedandina rûyê Ra 0.1, berxwedana germahiyê 1600℃.
-
Parçeyên Yedek ên Seramîk ên Amûrên Nîvconductor
Parçeyên yedek ên seramîk, ku bi pêlkirina îzostatîk a sar û di bin germahiya bilind de têne sinterkirin, dû re bi makîneya rast û cilkirî têne çêkirin, dikarin bi taybetmendiyên berxwedana li hember aşînê, berxwedana korozyonê, berfirehbûna germî ya nizm û îzolekirinê her hewcedariyên hişk ên alavên nîvconductor bicîh bînin. Seramîk dikarin di gelek celeb alavên hilberîna nîvconductor de bi şert û mercên germahiya bilind, valahî an gaza korozîf ji bo demek dirêj bixebitin.
Ji toza alumina ya paqijiya bilind hatî çêkirin, bi pêlkirina îzostatîk a sar, sinterkirina germahiya bilind û qedandina rastîn ve hatî hilberandin, ew dikare bigihîje toleransa dimensiyonê ± 0.001 mm, qedandina rûyê Ra 0.1, berxwedana germahiyê 1600℃.
-
Xeleka Morkirina Seramîk a Alumina ya Paqijiya Bilind ji bo Morkirina Odeya Germahiya Bilind
Halkaya mohra seramîk a St.Cera wekî alternatîfek ji bo Halkayên O yên polîmer di hawîrdorên dijwar de ku elastomer lê xirab dibin, hatiye sêwirandin. Ji %99.8 alumînaya paqijiya bilind (Al₂O₃) hatiye çêkirin, ev halkaya mohra hişk di sepanên mohra statîk de tê bikar anîn - bi gelemperî bi gasketek metalek nerm an grafît ve tê hevber kirin - da ku di germahiyên heta 800°C û di hawîrdorên plazma an kîmyewî yên êrîşkar de valahiyek pêbawer an jî ragirtina gazê peyda bike. Materyal sifir derxistina gazê, hêza zextê ya bilind (hêza xwarbûnê ya bingehîn 361 MPa), û bêserûberiya kîmyewî (berxwedêr li hember halojen, asîd û alkaliyan ji bilî HF) pêşkêşî dike. Rûyên mohra bi rast hatine pêçandin (rûtbûn ≤5 μm, xavbûna rûyê Ra ≤0.2 μm) têkiliya neherikbar bi pêkhateyên metal an seramîk ên hevber re misoger dikin.
-
Xeleka Fokusê ya Odeya Alumina ya Paqijiya Bilind ji bo Sîstemên Gravkirina Plazmayê û CVD
Xeleka fokuskirina odeyê ya St.Cera pêkhateyeke kîta pêvajoyê ya krîtîk e ku di alavên nîvconductor ên gravkirina plazmayê, CVD, û PVD de tê bikar anîn. Xeleka ku ji %99.8 alumînaya paqijiya bilind (Al₂O₃) hatiye çêkirin, qiraxa waferê dorpêç dike da ku plazmayê sînordar bike û belavbûna goşeya iyonê baştir bike, bi vî rengî yekrengiya gravkirinê li seranserê rûyê waferê baştir bike. Materyal berxwedana plazmayê ya bêhempa, hêza dielektrîkê ya bilind (15×10⁶ V/m), û aramiya germî heya 1600°C pêşkêşî dike, ku pêbaweriya demdirêj di hawîrdorên plazmayê yên êrîşkar ên li ser bingeha florîn an klorê de misoger dike. Nasnameya/OD-ya erdê ya rast û rûtbûn (≤10 μm) pozîsyona qiraxa waferê ya rast dihêle, kêmasiyên qiraxê û çêbûna perçeyan kêm dike.
-
Zengila Seramîk a Alumina ya Paqijiya Bilind ji bo Odeyên Pêvajoya CVD / PVD
Halkaya seramîk a St.Cera bi taybetî ji bo karanîna di odeyên pêvajoyê yên CVD (Depozîsyona Buxara Kîmyewî) û PVD (Depozîsyona Buxara Fizîkî) de hatiye sêwirandin. Ev halka, ku ji %99.8 alumînaya paqijiya bilind (Al₂O₃) hatiye çêkirin, wekî pêvekek odeyê, halkaya fokusê, an pêkhateyek kîta pêvajoyê kar dike da ku plazmayê sînordar bike û dîwarên odeyê ji erozyonê biparêze. Materyal berxwedana plazmayê ya hêja, hêza dielektrîk a bilind (15×10⁶ V/m), û aramiya germî heya 1600°C pêşkêşî dike, ku di hawîrdorên plazmaya êrîşkar ên li ser bingeha florîn de jiyanek dirêj a xizmetê misoger dike. Toleransên pîvanî yên rast (±0.05 mm li ser ID/OD) û rûtbûn (≤10 μm) pozîsyona qiraxa waferê ya domdar gengaz dike, yekrengiya depozîsyonê baştir dike û çêbûna perçeyan kêm dike.
-
Bandorkera Dawî ya Seramîk a Bernoulli — Desteserkirina Waflên Bêtemas ji bo Waflên Tenik û Şikestî
Bandorkera seramîk a Bernoulli ya St.Cera ji bo birêvebirina waferan bêyî têkiliya fîzîkî, hilgirtina aerodînamîk bikar tîne. Ji alumînaya (Al₂O₃) ya paqijiya bilind a 99.8% an jî karbîda silîkonê (SiC) hatiye çêkirin, nozulên bi makîneya rast hatine çêkirin hene ku gaza zextkirî derdixin da ku fîlmek hewaya zirav di navbera bandorkera dawî û waferê de çêbikin. Ev prensîba bê-temas qirêjiya piştê, şikestina qiraxan û zirara rûyê ji holê radike, û wê ji bo waferên zirav (≤100 μm), nazik an jî xwarbûyî îdeal dike. Bingeha seramîk hêza bilind a xwarbûnê (361 MPa ji bo Al₂O₃; heta 550–600 MPa ji bo SiC), girseya kêm û aramiya pîvanî ya hêja peyda dike, ku pozîsyona dubarekirî di robotên veguheztina waferên bilez de misoger dike.
-
Parçeyên Seramîk ên Alumina yên Paqijiya Bilind ji bo Serlêdanên Nîvconductor & Pîşesaziyê
St.Cera perçeyên seramîk ên alumîna (Al₂O₃) yên bi makîneya rast hatine çêkirin li gorî taybetmendiyên xerîdar çêdike. Bi karanîna alumînaya paqijiya bilind a %99.8, ev pêkhate hêza xwarbûnê ya hêja (361 MPa), hişkbûna bilind (16 GPa), û hêza dielektrîkê ya berbiçav (15×10⁶ V/m) peyda dikin. Ji bo alavên nîvconductor, kombûnên berxwedêr ên li hember aşînê, îzolatorên elektrîkê, û alavên germahiya bilind hatî çêkirin, materyal nêzîkî sifir vegirtina avê (0%) û katsayiyek berfirehbûna germî ya 7.2×10⁻⁶/℃ pêşkêşî dike, ku di bin şert û mercên dijwar de aramiya pîvanî misoger dike.
-
Çakêtê Valahî yê Seramîk ê Poroz ji bo Desteserkirina Waferê ya Warped
Çakê seramîk ê poroz ê St.Cera ji alumînaya paqijiya bilind bi porozîteyeke vekirî ya yekreng a 30-45% û mezinahiya kunan ji 10 heta 100 μm hatiye çêkirin. Berevajî çakêtên xêzkirî yên kevneşopî, rûyê poroz valahiyek belavkirî li seranserê pişta waferê peyda dike, bi bandor waferên çewisî, zirav, an yekalî bêyî rakirina qiraxan an şikestinê digire. Valahiya nerm (bi rêya sînorkerê ve tê verastkirin) di heman demê de pêşî li nîşankirina piştê jî digire.
-
Çakêtê Valahî yê Seramîk ê Poroz ê li ser bingeha Alumina ji bo Desteserkirina Waferên Zirav
Çakê poroz ê St.Cera yê li ser bingeha alumînayê ji %99.6 Al₂O₃ ya paqijiya bilind bi porozîteya vekirî ya kontrolkirî ya %30–45 û mezinahiya poran a yekreng di navbera 10 û 50 μm de hatiye çêkirin. Berevajî çakêtên xemilandî, rûyê poroz valahiyek belavkirî li seranserê pişta waferê peyda dike, nîşankirina qiraxan ji holê radike û girtina nerm a waferên pir zirav (≤100 μm) an jî xwar dihêle. Materyal hêza xwarbûnê ≥250 MPa û aramiya germî heta 400°C di hewayê de pêşkêş dike.
-
Plaqeya Belavkirina Gaza Alumina ji bo Serşoka CVD/PVD
Plaqeya belavkirina gazê (serê serşokê) ya St.Cera bi makîneyeke rast ji seramîka alumînayê ya paqijiya bilind a %99.8 hatiye çêkirin. Ew xwedî rêzek ji mîkro-kunan (bi qûtra 0.3–1.5 mm) e ku di dema pêvajoyên CVD, PVD, an ALD de herikîna gazê ya yekreng li ser rûyê waferê misoger dike. Hêza dîelektrîk a bilind (>15×10⁶ V/m) û berxwedana plazmayê ya plakeyê wê ji bo danîna fîlma tenik a nîvconductor girîng dike.
-
Pinê Piştgiriya Seramîk ji bo Fixturesên Pêvajoya Semiconductor
Pînên piştgirî yên seramîk ên St.Cera (ku wekî pînên hildanê an pînên piştgirî jî têne zanîn) di odeyên pêvajoya nîvconductor de têne bikar anîn da ku wafer an jî substratan di dema destgirtin, germkirin, an sarkirinê de bilind bikin. Ji %99.8 alumina an jî nîtrîda silîkonê hatine çêkirin, ev pîn hêza zextê, aramiya germî û berxwedana kîmyewî ya bilind pêşkêş dikin. Sêwirana serê nîv-sferîk an jî pêça daîre pêşî li xêzkirina waferê digire.
